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Dual Beam FIB测试服务
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    服务内容


双束聚焦离子束Dual Beam FIB
Dual Beam FIB:(双束聚焦离子束)机台能在使用离子束切割样品的同时,用电子束对样品断面(剖面)进行观察,亦可进行EDX的成分分析,能针对样品中的微细结构进行纳米尺度的定位及观察。离子束最大电流可达65nA,快速的切削速度能有效缩短取得数据的时间。


解决方案


设备能力

Circuit Edit芯片线路修改

Cross-section纳米切片制样

SEM &EDX高分辨电子扫面显微镜 & EDX能谱分析

深圳半导体实验室Dual beam FIB测试能力

Vendor

Thermo Fisher (USA)

Model

Helios 5 CX

Spec

Electron beam resolution

•  At optimum WD:
0.6 nm at 30 kV STEM
0.6 nm at 15 kV
1.0 nm at 1 kV
0.9 nm at 1 kV with beam deceleration*

•  coincident point:
0.6 nm at 15 kV
1.5 nm at 1 kV with beam deceleration* and DBS*

 


Dual Beam FIB工作原理简介


聚焦离子束(FIB)系统利用镓离子源和双透镜聚焦柱,用强烈的聚焦离子束轰击标本表面,以进行精密材料去除、沉积和高分辨率成像。


简单来说是聚合了FIB处理样品和SEM观察成相的功能。其中FIB是将Ga元素离子化离子化成Ga+,然后利用电场加速,再利用静电透镜聚焦将,将高能量的Ga+打到指定点从而达到处理样品的功能。https://www.sgsonline.com.cn/sku/product/901469    

工作原理 


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